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美光存储芯片涨价(幅度达20%-30%)将形成产业链级别的需求传导,叠加存储领域国产替代加速推进,从芯片设计到配套服务的

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式
美光存储芯片涨价(幅度达20%-30%)将形成产业链级别的需求传导,叠加存储领域国产替代加速推进,从芯片设计到配套服务的各环节核心企业,均有望依托技术壁垒与场景优势,承接涨价红利与国产替代增量。结合存储芯片概念产业链结构,按环节梳理受益概念股如下:
一、存储芯片设计:涨价直接受益,细分龙头占优
作为存储产业链的核心环节,芯片设计企业直接承接价格上行红利,细分领域龙头凭借市占率与技术优势,业绩弹性尤为突出。
兆易创新:国内Nor Flash绝对龙头,在消费电子、工控领域市占率领先,存储芯片涨价直接增厚产品利润,业务确定性强。
- 东芯股份:SLC NAND领域头部企业,工业控制市场占有率第一,工业场景需求刚性,存储芯片需求增长将推动业绩持续释放。
北京君正:车载DRAM核心供应商,汽车电子智能化趋势下,车载存储需求呈爆发式增长,成为公司第二增长曲线,直接受益存储市场热度。
普冉股份:以EEPROM+Nor Flash双轮驱动,产品覆盖消费电子、物联网等多场景,双品类同步承接存储芯片价格上行红利,业务抗风险能力强。
恒烁股份:实现存算一体AI芯片突破(50TOPS算力级产品流片),兼具存储与AI双重属性,技术壁垒高,在AI存储融合趋势下更具稀缺性。
二、晶圆制造:国产替代核心,产能释放促增长
晶圆制造是存储产业链的“卡脖子”环节,国产厂商凭借技术突破与产能扩张,在涨价周期中承接国产替代订单,业绩弹性显著。
长鑫存储:国产DRAM唯一量产厂商,DDR5良率持续突破,直接受益DRAM价格上涨,同时国产替代逻辑明确,随着产能释放,市场份额与利润有望双升。
长江存储:3D NAND技术全球领先(232层产品已量产),在NAND Flash涨价背景下,产能逐步释放将带动业绩快速增长,是国产存储制造的核心支柱。
三、存储模组与封测:涨价传导直接,技术前瞻享增量
模组与封测环节承接上游芯片涨价,同时受益下游终端需求增长,布局先进封装技术的企业更能把握下一代存储机遇。
江波龙:企业级SSD国产替代主力,消费级存储模组市占率高,存储芯片涨价可直接传导至模组产品,同时国产替代订单持续落地,增长动力足。
德明利:自研PCIe 4.0 SSD主控芯片,成功打入联想供应链,SSD需求增长与主控技术突破形成双重驱动,在存储模组竞争中具备差异化优势。
佰维存储:前瞻布局存算一体封装,储备HBM Chiplet技术,提前卡位下一代存储技术(如HBM),在存储高端化趋势下更具长期竞争力。
香农芯创:SK海力士核心代理商,掌握HBM国内分销核心渠道,美光涨价后HBM需求激增,分销业务量价齐升,直接受益存储高端化红利。
深科技:DRAM封测龙头,深度配套合肥长鑫存储,封测产能随长鑫扩产同步释放,与上游制造企业形成协同,业绩增长与长鑫产能节奏高度绑定。
通富微电:HBM 2.5D封装已实现量产,AI服务器对HBM需求爆发,封装业务成为公司核心增量,在先进封装赛道中占据先发优势。
朗科科技:U盘专利持有者,覆盖消费级存储市场,存储芯片涨价推动终端产品同步调价,直接带动营收增长,业务贴近消费端,市场反应灵敏。
大为股份:DRAM模组业务高增长,同时实现新能源车应用突破,车规级存储需求打开第二增长曲线,在车载与消费双场景下承接存储红利。
四、存储设备/材料:扩产需求驱动,国产替代加速
存储晶圆厂扩产直接带动设备与材料需求,国产厂商凭借技术突破,逐步替代进口产品,成为产业链“卖水人”,需求确定性强。
中微公司:刻蚀设备成功打入长江存储、长鑫存储产线,是半导体设备国产替代核心标的,存储晶圆厂扩产将持续拉动设备采购需求。
拓荆科技:PECVD设备可覆盖3D NAND 200+层堆叠,长江存储扩产计划明确,将直接带动公司薄膜沉积设备采购,业务与国产存储制造绑定紧密。
华海清科:国内唯一实现CMP设备量产的供应商,是存储晶圆平坦化工艺的核心设备厂商,国产替代逻辑强,受益存储晶圆厂产能扩张。
雅克科技:前驱体材料龙头,深度供应长江存储、长鑫存储,存储晶圆产线材料需求刚性,技术壁垒高,产品市占率与产能扩张同步提升。
安集科技:抛光液国产替代核心企业,产品覆盖14nm以下先进节点,是CMP环节关键材料供应商,存储晶圆厂扩产将持续拉动抛光液需求。
精智达:存储测试设备核心供应商,深度配套长鑫存储,存储芯片量产环节测试需求随产能释放同步增长,是存储制造的“质量把关者”。
兴福电子:电子级磷酸/硫酸龙头,产品配套长鑫存储,湿电子化学品是存储晶圆制造不可或缺的材料,需求随产能扩张稳步增长。
北方华创:半导体设备龙头,产品覆盖刻蚀、沉积、清洗等多品类,存储晶圆厂扩产将带动多类型设备采购,是存储设备领域的“全能型”供应商。
鼎龙股份:CMP抛光垫打破国外垄断,HBM用PSPI材料已实现量产,存储高端化趋势推动材料升级需求,公司在先进存储材料领域具备先发优势。
长电科技:先进封装龙头,Chiplet技术赋能存储芯片异构集成,前瞻布局下一代存储封装技术,在存储高端化与集成化趋势下更具竞争力。
赛腾股份:通过收购Optima切入HBM检测设备领域,HBM量产过程中良率管控需求迫切,带动检测设备增量,公司成功卡位高端存储设备赛道。
五、其他产业链配套:细分场景补位,技术协同享红利
配套环节覆盖存储周边核心部件与系统解决方案,在存储产业链涨价与国产替代中,承接细分场景需求,形成差异化增长。
澜起科技:DDR5内存接口芯片全球市占率超50%,DDR5渗透率提升与AI服务器需求增长形成共振,带动接口芯片需求放量,业绩弹性明确。
聚辰股份:EEPROM产品配套Nor Flash使用,覆盖消费电子、汽车电子等场景,需求稳定,存储芯片涨价间接带动EEPROM配套需求,业务协同性强。
中科曙光:企业级存储系统供应商,AI算力中心建设推动高端存储需求增长,公司存储系统与算力业务形成协同,在AI存储场景中具备优势。
开普云:拟收购鑫克切入企业级SSD领域,跨界布局存储硬件,把握存储国产化机遇,通过业务拓展打开新增长空间。
联芸科技:SSD主控芯片核心厂商,覆盖消费级与企业级市场,SSD需求增长直接带动主控芯片放量,在存储模组国产化中扮演关键角色。
万润科技:子公司长江万润布局HBM封装材料,HBM技术普及推动封装材料升级,公司提前卡位高端存储材料赛道,长期增长潜力大。
联瑞新材:Low-α球形硅微粉产品,适配HBM高频信号传输需求,HBM需求爆发带动硅微粉应用放量,在存储高端化中具备技术卡位优势。
华海诚科:GMC封装材料可用于HBM封装环节,是HBM封装的关键材料,技术壁垒高,随着HBM量产,材料需求将快速增长。
神工股份:硅零部件成功进入长江存储供应链,是存储晶圆制造环节的核心零部件供应商,国产替代逻辑明确,需求随长江存储产能释放同步增长。
斯迪克:参与华为磁电存储“SSD+MED双层存储架构”的电磁涂布环节,前瞻布局新型存储技术,在存储技术迭代中具备先发优势。
六、磁电存储&华为存储配套:新赛道+生态链,把握差异化机遇
磁电存储是下一代存储技术方向,华为存储生态链企业则受益国内算力中心国产化替代,两类企业均具备差异化增长逻辑。
磁电存储:中电兴发、宁波建工、智迪科技、易华录、宁波韵升、信息发展、同有科技、福日电子等,覆盖磁电存储全产业链环节,随着新型存储技术商业化推进,有望承接技术迭代红利。
华为存储:中亦科技、易华录、创意信息、天源迪科;兆易创新、同有科技、神州数码、中科曙光、银信科技、万润科技、太极股份、拓维信息等,均为华为存储生态链核心企业,国内算力中心存储国产化替代加速,将直接带动生态链企业订单增长。
综上,美光存储芯片涨价与存储国产化形成双重驱动,覆盖设计、制造、模组、设备、材料及配套的全产业链企业均将受益。但需注意行业竞争加剧、技术迭代等风险,投资需结合企业核心竞争力与行业趋势理性判断。
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